当前位置：
X-MOL 学术
›
Adv. Electron. Mater.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
场效应晶体管：铁电负电容场效应晶体管（Adv。Electron。Mater。11/2018）
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-11-09 , DOI: 10.1002/aelm.201870051 Luqi Tu 1, 2 , Xudong Wang 1 , Jianlu Wang 1, 2 , Xiangjian Meng 1, 2 , Junhao Chu 1, 2
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-11-09 , DOI: 10.1002/aelm.201870051 Luqi Tu 1, 2 , Xudong Wang 1 , Jianlu Wang 1, 2 , Xiangjian Meng 1, 2 , Junhao Chu 1, 2
Affiliation
负电容场效应晶体管（NCFET）通过内部电压放大实现了超低的亚阈值摆幅，这是由于铁电极化切换过程中的负电容效应引起的。Wang Jianlu和同事在文章1800231中回顾了基于各种栅极结构和典型铁电体的NCFET的理论和实验结果。新颖的NCFET结构与2D材料和FinFET的结合，为未来带来了广阔的前景。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2018-11-09
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号