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通过 SiHCl3 基有机硅纳米丝一步生成反应性超疏水表面
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2018-11-05 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.8b02247 Sjoerd Slagman 1 , Sidharam P Pujari 1 , Maurice C R Franssen 1 , Han Zuilhof 1, 2, 3
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2018-11-05 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.8b02247 Sjoerd Slagman 1 , Sidharam P Pujari 1 , Maurice C R Franssen 1 , Han Zuilhof 1, 2, 3
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超疏水表面因其在许多（消费）产品/材料中的适用性而受到越来越多的关注，因为它们通常表现出防污、防冰和/或自清洁等特性。实现超疏水性的一种简单方法是通过生长有机硅纳米丝。然而，这些纳米丝通常不具有反应性，因此难以在后续化学中使用。为此，我们开发了一种单步程序来生长（SiHCl 3基）有机硅纳米丝，该纳米丝具有本质上超疏水性的选择性反应性。有机硅纳米丝可以通过暴露的 Si-H 部分的 Pt 催化氢化硅烷化进一步功能化。这些表面可以在温和的条件下轻松获得，并且在水解条件下（中性水，80°C 24 小时）稳定，同时保持高度透明，这使得它们非常适合光学和光化学实验。
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更新日期：2018-11-05
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