我们研究了由ap / i / n薄膜硅顶部子电池（p / i / n-TFS）和具有固有薄层（HIT）底部的异质结组成的高效两端子串联光伏（PV）器件子单元。我们使用了计算机模拟和实验。顶部子电池的短路电流密度（J _sc）限制了p / i / n-TFS / HIT串联PV器件的J _sc。为了提高顶部子电池的J _sc，我们在p / i和i / n界面处使用了缓冲层，并使用了梯度前向分布（fp）带隙氢化非晶硅锗有源层，即i -层，位于顶部子单元格中。这两种方法表明顶部子电池的歼的显着提高_SC，导致j的增加_SCPV串联设备的示意图。此外，为了使光学损失最小，我们使用了双层抗反射涂层（DL-ARC），该涂层的正面有氟化镁/铟锡氧化物双层。前表面宽带反射的减少（使用DL-ARC）和长波长区域中光吸收的增强（具有渐变的fp带隙）导致了较高的J _sc，帮助实现了高达16.04％的效率用于无机-无机基于c-Si的串联PV器件。



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