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金属/半导体界面对可达到的 ZnO 压电和能量收集性能的影响
Acta Materialia ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-01-01 , DOI: 10.1016/j.actamat.2018.10.008 Nikola Novak , Peter Keil , Till Frömling , Florian H. Schader , Alexander Martin , Kyle G. Webber , Jürgen Rödel
Acta Materialia ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-01-01 , DOI: 10.1016/j.actamat.2018.10.008 Nikola Novak , Peter Keil , Till Frömling , Florian H. Schader , Alexander Martin , Kyle G. Webber , Jürgen Rödel
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摘要 压电系数是一种量化材料在能量收集和传感器应用中的潜在用途的量度。压电材料中高浓度的自由电荷载流子会显着阻碍产生的压电电荷的使用。在这项研究中，制备了具有欧姆接触和肖特基接触的未掺杂半导体 ZnO 单晶，以量化在 20 °C 至 -140 °C 的温度和 0.5 Hz 至 160 Hz 的机械载荷频率下的有效压电响应。结果表明，在金属-半导体界面处形成静电势垒会增加总电阻，即使在室温下也能获得 ZnO 单晶的无偏压电系数。
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更新日期：2019-01-01
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