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了解纤锌矿型ZnO中的W掺杂
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2018-08-13 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b06881
Francesc Viñes 1 , Ana Iglesias-Juez 2 , Marcos Fernández-García 2 , Francesc Illas 1
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2018-08-13 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b06881
Francesc Viñes 1 , Ana Iglesias-Juez 2 , Marcos Fernández-García 2 , Francesc Illas 1
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在通过W掺杂对太阳能收获应用中的ZnO光敏材料进行带隙工程设计的过程中，文献中关于ZnO c轴膨胀/收缩，带隙红移或蓝移，Zn的许多先验差异性实验观察结果W原子的取代或填隙性质，或具有ZnO天然缺陷的W 6+电荷补偿视图，是通过对一系列涵盖大范围W含量的大块超级电池模型进行彻底的密度泛函理论计算来解决的。本研究结果表明，间隙W（W i）仅在能量上优于替代（W Zn），从而使观察结果乍一看与之前的观察结果不同。）在高W掺杂浓度下；W Zn c晶格膨胀可以通过W触发的Zn空位（V Zn）c晶格收缩来补偿。W Zn的存在会大力促进附近的V Zn缺陷，反之亦然，直至出现双V Zn的情况。单空位或双空位的数量解释了晶格的收缩/膨胀，并且两种限制情况都暗示了能隙状态，该能隙状态减少了带隙，但增加了能隙。根据目前的结果，可以通过在富锌条件下进行W掺杂来实现太阳光触发过程所需的ZnO带隙红移。
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更新日期：2018-08-14
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