已经研究了通过氨辅助分子束外延在具有不同低温 AlN 缓冲层 (LT-BL) 的 c 蓝宝石衬底上生长的 AlN 外延层特性（120 nm 厚）。LT-BL 对 AlN 结构和光学特性的作用作为 LT-BL 厚度和生长温度的函数进行了研究。LT-BL 厚度为 3 nm，生长温度在 480 摄氏度到 520 摄氏度之间，确定了最佳生长条件。 结果表明，通过优化这些条件，混合和边缘穿透位错密度降低了 75% . 还研究了 AlN 外延层生长温度的影响，表明在较高温度下生长时，AlN 晶体和形态特性得到了额外的改善。还研究了外延层应变和 PL 发射之间的相关性。最后，在优化的 AlN 模板顶部生长了 Al0.7Ga0.3N:Si 掺杂层，显示出具有单原子台阶的光滑表面和接近 0.2 nm 的粗糙度，证实了这种模板用于制造基于 AlGaN 的异质结构的潜力.



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