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具有二维贵金属-有机蜂窝-Kagome能带结构的拓扑绝缘子的电子性质的解构
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2018-08-02 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b03353 Hao Sun , Shijing Tan 1 , Min Feng 1 , Jin Zhao 1 , Hrvoje Petek 1
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2018-08-02 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b03353 Hao Sun , Shijing Tan 1 , Min Feng 1 , Jin Zhao 1 , Hrvoje Petek 1
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据预测,具有强自旋轨道耦合(SOC)的某些金属有机(MO)晶格可充当二维拓扑绝缘体(2D-TIs)。在自旋电子学技术中,如果采用绝缘的2D MO片,则在2D-TI中具有相反的电子自旋的金属边缘态的极化非常有趣。但是,MO晶格的2D-TI特性尚未得到实验证实。主要挑战在于,MO晶格通常会在金属基材上自组织,这会引入相互作用,从而改变甚至抑制拓扑特征。我们计算了由贵金属原子顶点和二齿1,4-亚苯基二异氰化物(PDI)接头组成的2D金属-有机蜂窝晶格的拓扑特性,这些拓扑结构形成了金属-有机蜂窝-Kagome晶格(MOHKLs)能带结构,自由和在金属基底上。顶点和链接器的选择可以独立地调整SOC和传输属性。计算预测,无支撑的2D MOHKL确实在SOC的Dirac谱带之间具有SOC诱导的间隙。K点。此外,这种MOHKL的纳米带经计算具有金属自旋极化边缘态。但是,在金属基板上支撑MOHKL会引入电势,从而产生Rashba SOC,这会缩小带隙。通过扫描隧道显微镜和光谱法进行的分子分辨测量测试了自组装在Ag(111)表面上的Ag-PDI MOHKL的电子性能,但没有发现2D-TI电子能带结构的证据。从衬底的电子和化学影响中释放MOHKL来保持其TI特性仍然是一个挑战。Rashba SOC提供了用于设计2D-TI带结构的附加工具。
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更新日期:2018-08-02
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