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化学来源的硫原子在单层过渡金属硫化物中填充空位的原子观察
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2018-06-20 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01714
Shrawan Roy 1, 2 , Wooseon Choi 1 , Sera Jeon 3 , Do-Hwan Kim 1 , Hyun Kim 1, 2 , Seok Joon Yun 1, 2 , Yongjun Lee 1, 2 , Jaekwang Lee 3 , Young-Min Kim 1, 2 , Jeongyong Kim 1, 2
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2018-06-20 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b01714
Shrawan Roy 1, 2 , Wooseon Choi 1 , Sera Jeon 3 , Do-Hwan Kim 1 , Hyun Kim 1, 2 , Seok Joon Yun 1, 2 , Yongjun Lee 1, 2 , Jaekwang Lee 3 , Young-Min Kim 1, 2 , Jeongyong Kim 1, 2
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已证明使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺(TFSI)进行化学处理对于提高单层(1L)MoS 2的光致发光(PL)特别有效,从而提出了一种克服该材料固有的低量子产率的简便方法。但是,PL增强的潜在原子机制仍然难以捉摸。在这里,我们报告在TFSI处理的1L-MoS 2中观察到的缺陷愈合的微观原因通过光学表征和原子级扫描透射电子显微镜的相关结合,表明大多数硫空位被TFSI分解产生的外在硫原子直接修复,同时导致PL显着提高。密度泛函理论计算证实,从TFSI解离的反应性二氧化硫分子可以在空位处还原为硫和氧气,从而形成牢固结合的S-Mo。我们的结果表明,如何通过简单的化学处理方法有效消除缺陷介导的非辐射重组,从而促进单层半导体的实际应用。
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更新日期:2018-06-20
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