当前位置: X-MOL 学术J. Mater. Chem. C › 论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
调节双(4-甲氧基苯基)胺基空穴传输材料中的π桥联单元以改善钙钛矿太阳能电池性能的策略
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2018-06-07 00:00:00 , DOI: 10.1039/c8tc01891j
Hongyuan Liu 1, 2, 3, 4, 5 , Xiaorui Liu 1, 2, 3, 4, 5
Affiliation  

我们提出了一种有效的策略来调节双(4-甲氧基苯基)胺基空穴传输材料(HTMs)中的π桥联单元的电子缺陷,以提高空穴迁移率和钙钛矿太阳能电池(PSC)器件的性能。为了证实这一策略,我们在报道的基于双(4-甲氧基苯基)胺的pDPA-DBTP的基础上,调整了pDPA-DBTP中π桥单元的电子缺陷,并设计了一系列新的HTM(S1-S3)。与母体分子pDPA-DBTP相比,设计好的HTM S1-S3表现出更好的性能,斯托克斯位移大,激子结合能小,稳定性更好,溶解度更高和空穴迁移率更高。分子(S1-S3)的空穴迁移率值为1.07×10 -2分别为1.47×10 -2和1.60×10 -1 cm 2 V -1 s -1。这些结果提供了有用的信息,并证明调节基于双(4-甲氧基苯基)胺的HTM中π桥单元的电子缺陷是控制性能的有效方法,以改善PSC应用中HTM的性能。此外,设计的S1-S3 HTM可以作为有前途的候选者,以在PSC应用中提供高效率。



"点击查看英文标题和摘要"

更新日期:2018-06-07
down
wechat
bug