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湿度相关的氧化锌纳米线的压电势特性:原子尺度建模的见解
Nano Energy ( IF 16.8 ) Pub Date : 2018-05-25 , DOI: 10.1016/j.nanoen.2018.05.054
Jin Zhang , Jianli Zhou

在氧化锌(ZnO)纳米线(NWs)的制造和操作中,湿度效应是不可避免的。本文基于原子尺度模拟对ZnO纳米线在潮湿条件下的压电势特性进行了压缩研究。通过分子动力学模拟,我们发现在潮湿条件下,水在ZnO NWs表面的混合分子和解离混合吸附。分子水和解离水的吸收都在结构上重建了ZnO净水的表面原子,从而改变了它们的表面性能,最终使ZnO净水在潮湿条件下的材料性能与真空条件下的对应物显着不同。将获得的材料特性应用于ZnO NWs的压电势的数值和解析计算,我们发现湿度效应引起的压电势显着降低。与先前实验中观察到的结果相似,发现随着湿度水平的增加,压电势的降低变得更加明显,因为在此过程中,更多的ZnO NWs表面原子将被分子或离解的水吸附。此外,我们的密度泛函理论计算结果表明,湿度效应还可以通过向下移动ZnO NW的导带边缘来影响其半导体性能。然而,发现由湿度效应引起的半导体性质的变化对ZnO NW的压电势具有微不足道的影响。随着湿度水平的增加,压电势的降低变得更加显着,因为在此过程中,更多的ZnO NWs表面原子将被分子或离解的水吸收。此外,我们的密度泛函理论计算结果表明,湿度效应还可以通过向下移动ZnO NW的导带边缘来影响其半导体性能。然而,发现由湿度效应引起的半导体性质的变化对ZnO NW的压电势具有微不足道的影响。随着湿度水平的增加,压电势的降低变得更加显着,因为在此过程中,更多的ZnO NWs表面原子将被分子或离解的水吸收。此外,我们的密度泛函理论计算结果表明,湿度效应还可以通过向下移动ZnO NW的导带边缘来影响其半导体性能。然而,发现由湿度效应引起的半导体性质的变化对ZnO NW的压电势具有微不足道的影响。我们的密度泛函理论计算表明,湿度效应还可以通过向下移动它们的导带边缘来影响ZnO NW的半导体性能。然而,发现由湿度效应引起的半导体性质的变化对ZnO NW的压电势具有微不足道的影响。我们的密度泛函理论计算表明,湿度效应还可以通过向下移动它们的导带边缘来影响ZnO NW的半导体性能。然而,发现由湿度效应引起的半导体性质的变化对ZnO NW的压电势具有微不足道的影响。





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更新日期:2018-05-25
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