摘要 在任何集成尝试之前降低 CNT 合成的温度是一项技术挑战。研究了通过在暴露于 H2:C2H4 等离子体之前使用 H2 等离子体预先减小 Ni 颗粒的尺寸来改善 Ni/TiN/SiO2/Si 上的 CNT 地毯生长。结合不同的技术，SEM、原位拉曼、NEXAFS、XPS 和 TEM 来研究 CNT 薄膜的生长速率和质量。原位拉曼光谱的原始使用使我们能够通过 Si 非谐性确定与 H2 等离子体接触的样品表面温度的增加。最后，可以通过 PECVD 在 480 °C 的工艺温度下生长 CNT 地毯。



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