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反对称对称性损坏的2D 3R‐MoTe2
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2018-04-25 , DOI: 10.1002/adfm.201800785
Dan Yang 1 , Xiaozong Hu 1 , Minghao Zhuang 2 , Yao Ding 2 , Shasha Zhou 1 , Aoju Li 1 , Yiwei Yu 1 , Huiqiao Li 1 , Zhengtang Luo 2 , Lin Gan 1 , Tianyou Zhai 1
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2018-04-25 , DOI: 10.1002/adfm.201800785
Dan Yang 1 , Xiaozong Hu 1 , Minghao Zhuang 2 , Yao Ding 2 , Shasha Zhou 1 , Aoju Li 1 , Yiwei Yu 1 , Huiqiao Li 1 , Zhengtang Luo 2 , Lin Gan 1 , Tianyou Zhai 1
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反转对称破碎的3R相半导体过渡金属双金属二硫化物(TMDC)在许多新领域具有巨大的潜在应用,例如强电子自旋轨道耦合的谷电子学和非线性光学,尤其是持久的非中心对称结构,无论层数如何,都与之形成鲜明对比。其他阶段对层数有严格的要求。不幸的是,迄今为止,制造3R相TMDC仍然是一项艰巨的任务。碲化钼(MoTe 2)近年来吸引了越来越多的关注,这是由于其各个相之间的容易过渡以及靠近硅的窄带隙。然而,弱的Mo-Te键和相间的能量贫乏使获得纯相单晶MoTe 2成为一个巨大的挑战。, 尤其; 获得二维(2D)3R-MoTe 2仍然是处女地。在这里,通过合理地控制沉积温度和碲化速度,首次通过化学气相沉积法从MoCl 5前体中合成了高质量的2D 3R-MoTe 2薄片。扫描透射电子显微镜清楚地显示了合成的MoTe 2的3R堆叠模式。二次谐波生成测量结果证明了出色的奇数/偶数层独立频率转换效率。此外,还展示了合成的3R-MoTe 2出色的固有红外检测能力。
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更新日期:2018-04-25

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