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单轴应变石墨烯的电子态
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-11-30 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03027 Hiroki Shioya 1 , Saverio Russo 2 , Michihisa Yamamoto 1 , Monica F. Craciun 2 , Seigo Tarucha 1, 3
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-11-30 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03027 Hiroki Shioya 1 , Saverio Russo 2 , Michihisa Yamamoto 1 , Monica F. Craciun 2 , Seigo Tarucha 1, 3
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我们报告了电子状态和单轴应变石墨烯的电子传输性能的实验研究。对于本研究,我们开发了一种与平面设备技术兼容的新颖应变施加方法。我们确定了通过拉曼光谱在石墨烯中诱导的应变的值,并用原子力显微镜显示其形貌由沿施加的应变方向排列的高达4 nm高度的皱纹组成。传输实验揭示了电荷中性区域的扩大以及Landau-fan图中Landau能级收敛到多个Dirac点。这些观察结果与通过应变引起的皱纹引起的标量势的大波动是一致的,这是首次在实验中观察到的。
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更新日期:2015-11-30
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