当前位置：
X-MOL 学术
›
Adv. Electron. Mater.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
掺Si HfO2中随温度变化的铁电的起源
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-03-24 , DOI: 10.1002/aelm.201700489
Min Hyuk Park 1 , Ching-Chang Chung 2 , Tony Schenk 1 , Claudia Richter 1 , Michael Hoffmann 1 , Steffen Wirth 3 , Jacob L. Jones 2 , Thomas Mikolajick 1, 4 , Uwe Schroeder 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-03-24 , DOI: 10.1002/aelm.201700489
Min Hyuk Park 1 , Ching-Chang Chung 2 , Tony Schenk 1 , Claudia Richter 1 , Michael Hoffmann 1 , Steffen Wirth 3 , Jacob L. Jones 2 , Thomas Mikolajick 1, 4 , Uwe Schroeder 1
Affiliation
|
掺Si HfO 2中随温度变化的铁电的结构起源薄膜被系统地检查。从与温度相关的极化电场测量中可以看出，剩余极化随着温度的降低而增加。同时，掠入射X射线衍射显示正交晶体相分数随温度降低而增加。对于电热冷却应用，结构和铁电性能随温度的变化被认为是非常有前途的。磁化强度的测量并不能为强结晶相变温度范围内的磁化强度变化提供任何指示，这表明磁性和结构性能是相对去耦的。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2018-03-24
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号