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一种低介电装饰策略,以实现吸收为主的电磁屏蔽材料
Composites Part B: Engineering ( IF 12.7 ) Pub Date : 2019-12-06 , DOI: 10.1016/j.compositesb.2019.107690
Zirui Jia , Chao Wang , Ailing Feng , Pengbao Shi , Chuanhui Zhang , Xuehua Liu , Kuikui Wang , Guanglei Wu

转换电磁屏蔽材料的屏蔽机理主要取决于反射,因此由于第二种干扰或污染,电磁干扰(EMI)或污染无法真正解决。为了克服这一障碍,我们开发了一种吸收性占主导的EMI屏蔽材料,该材料使用低介电常数组分(TiO 2,非晶碳和SiO 2)来装饰羰基磁性铁(CIF)。因此,可以大大提高阻抗匹配能力,同时显示出理想的双重磁损耗和介电损耗能力。合成物的不同形态,晶相和EMI屏蔽性能已得到很好的研究。已经证实SiO 2的反射系数装饰的CIF样品可以从90%降低到56.6%,表明EM吸收能力有所提高。同时,其相应的吸收系数可达43.3%,也比TiO 2或无定形装饰的CIF要好得多。成功地使用低介电元件来装饰磁性金属的方法已被证明是制备吸收型占主导地位的EM屏蔽材料的有用策略。





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更新日期:2019-12-11
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