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SrTiO3（001）上生长的GdMnO3薄膜的应变工程四方相和铁电性。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2019-12-10 , DOI: 10.1038/s41598-019-55227-2
P Machado 1 , F G Figueiras 1 , R Vilarinho 1 , J R A Fernandes 2 , P B Tavares 3 , M Rosário Soares 4 , S Cardoso 5 , J P B Silva 6 , A Almeida 1 , J Agostinho Moreira 1
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2019-12-10 , DOI: 10.1038/s41598-019-55227-2
P Machado 1 , F G Figueiras 1 , R Vilarinho 1 , J R A Fernandes 2 , P B Tavares 3 , M Rosário Soares 4 , S Cardoso 5 , J P B Silva 6 , A Almeida 1 , J Agostinho Moreira 1
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在通过射频（RF）磁控溅射沉积在（001）取向的SrTiO3衬底上的外延应变GdMnO3薄膜中，发现了以前未报道的四方相。生长到35 nm厚度的薄膜的四角轴垂直于薄膜表面，基础晶格参数由基板的立方结构决定。此外，在〜32 K以下出现自发极化，表明在低温下稳定了不正确的铁电相，这在块状GdMnO3中没有观察到。这项工作表明如何使用应变工程技术来调整强相关氧化物的结构和性能。
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更新日期：2019-12-11
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