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晶体和非晶态ZnO中本征电子和空穴陷阱的建模
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2019-11-14 , DOI: 10.1002/aelm.201900760 David Mora‐Fonz 1 , Alexander L. Shluger 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2019-11-14 , DOI: 10.1002/aelm.201900760 David Mora‐Fonz 1 , Alexander L. Shluger 1
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超快液体淬火和在冷基板上沉积薄膜的最新进展使得生长非晶（a）-ZnO薄膜变得越来越可行。使用具有混合密度泛函（h-DFT）的密度泛函理论（DFT）模拟来预测非晶态ZnO的电子结构以及电子和空穴陷阱性质。采用五十个324原子结构的整体来获得a-ZnO的结构和电子性质的分布。结果表明，电子不存在于a-ZnO中，而是空穴形成深的局域态，平均俘获能约为0.9 eV。还显示出在非晶化下不影响导带最小值处的色散（CBM），这表明应保持高的电子迁移率。ZnO带隙的平均值为3。计算36 eV时，没有分裂成带隙的状态，这说明在非晶化时对光学透明性没有实质性的不利影响。这些发现可能对a-ZnO作为透明导体和光催化剂的未来应用具有重要意义。
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更新日期：2020-01-13
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