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通过能带工程分离BaSnO3中的电子和施主。
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2019-11-21 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b03825
Abhinav Prakash 1 , Nicholas F Quackenbush 2 , Hwanhui Yun 1 , Jacob Held 1 , Tianqi Wang 1 , Tristan Truttmann 1 , James M Ablett 3 , Conan Weiland 2 , Tien-Lin Lee 4 , Joseph C Woicik 2 , K Andre Mkhoyan 1 , Bharat Jalan 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2019-11-21 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b03825
Abhinav Prakash 1 , Nicholas F Quackenbush 2 , Hwanhui Yun 1 , Jacob Held 1 , Tianqi Wang 1 , Tristan Truttmann 1 , James M Ablett 3 , Conan Weiland 2 , Tien-Lin Lee 4 , Joseph C Woicik 2 , K Andre Mkhoyan 1 , Bharat Jalan 1
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在掺杂La的BaSnO3中将电子与其源原子分开，LaS掺杂的BaSnO3是第一个被发现具有较高室温电子迁移率的钙钛矿氧化物半导体，仍然是实现二维高迁移率电子气的重要课题。迄今为止，钙钛矿氧化物的绝大多数工作都集中在涉及SrTiO3作为活性层的异质结构上。在这里，我们报告了在不使用SrTiO3的情况下作为高室温迁移率宿主的BaSnO3中的调制掺杂的演示。重要的是，我们展示了使用角分辨硬X射线光电子能谱（HAXPES）作为非破坏性方法，不仅可以确定电子在掩埋界面的位置，而且可以量化BaSnO3中电子分布的宽度。输运结果与一维Poisson和Schrödinger方程的自洽解的结果非常吻合。最后，我们讨论了通过带偏移工程设计二维电子气密度的可行途径。
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更新日期：2019-11-21
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