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沉积在(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPTMS)涂层的Si衬底上的超薄金膜中的太赫兹电导率提高。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2019-10-21 , DOI: 10.1038/s41598-019-51085-0
Youjin Lee 1 , Dasom Kim 2 , Jeeyoon Jeong 1 , Jugyoung Kim 3 , Volodymyr Shmid 4 , Oleg Korotchenkov 4 , Parinda Vasa 5 , Young-Mi Bahk 3 , Dai-Sik Kim 1, 2
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当将材料减薄至纳米厚度时,各种材料特性都会发生很大变化。因此,研究人员一直试图获得具有纳米厚度的均质薄膜,但是沉积均质的几纳米厚的金膜具有挑战性,因为它倾向于形成岛状而不是均质膜。近来,研究表明,用有机缓冲剂(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPTMS)处理衬底能够沉积厚度低至5 nm的超薄金膜。已经研究了MPTMS处理超薄金膜的不同方面,例如其对可见光波长下的结构和光学性能的影响。然而,在太赫兹频率下,MPTMS处理对超薄金膜电导率的影响尚待探索。这里,我们使用太赫兹时域光谱仪测量沉积在MPTMS涂层的硅基板上的纳米厚金膜的复电导率。在对衬底进行MPTMS处理后,发现与厚度小于11 nm的金膜相比,该膜的电导率与沉积在未镀膜的衬底上的电导率相比有所提高。我们观察到厚度为7 nm的金膜的电导率提高了5倍。我们还演示了在8.2 nm厚的金膜中制造纳米缝隙天线阵列的过程。带有MPTMS涂层的纳米缝隙天线在约0.5 THz的共振频率下具有44的电场增强,而没有MPTMS涂层的纳米缝隙天线则没有共振特性。



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更新日期:2019-10-21
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