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W 掺杂和未掺杂的 VO2 纳米晶粉末的滞后热性能的测量。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2019-10-11 , DOI: 10.1038/s41598-019-51162-4 C L Gomez-Heredia 1 , J A Ramirez-Rincon 1 , D Bhardwaj 2 , P Rajasekar 2 , I J Tadeo 2 , J L Cervantes-Lopez 1 , J Ordonez-Miranda 3 , O Ares 1 , A M Umarji 2 , J Drevillon 3 , K Joulain 3 , Y Ezzahri 3 , J J Alvarado-Gil 1
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2019-10-11 , DOI: 10.1038/s41598-019-51162-4 C L Gomez-Heredia 1 , J A Ramirez-Rincon 1 , D Bhardwaj 2 , P Rajasekar 2 , I J Tadeo 2 , J L Cervantes-Lopez 1 , J Ordonez-Miranda 3 , O Ares 1 , A M Umarji 2 , J Drevillon 3 , K Joulain 3 , Y Ezzahri 3 , J J Alvarado-Gil 1
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通过溶液燃烧法合成并压制成颗粒的未掺杂和 0.8 at.% W 掺杂的 VO2 纳米晶体粉末的热性能表现出的磁滞回线，通过光热辐射测量进行了实验测量。结果表明：(i) W 掺杂将 VO2 的磁滞回线及其转变温度降低至 15 °C。(ii) 热扩散率降低（增加），直到（之后）金属域在 VO2 绝缘基体中占主导地位，使得其在金属-绝缘转变过程中的变化在 W-0.8 at.% 掺杂下增强了 23.5%。相比之下，由于绝缘体到金属的转变，当 VO2 结构中出现金属相时，热导率（热流出率）增加高达 45% (40%)，而在 VO2 结构中，导热率则增加高达 11% (25%)。当钨掺杂诱导局部金红石相时，形成绝缘体状态。(iii) 在加热和冷却过程中均观察到 VO2 比热容的特征峰，因此 0.8 at.% W 掺杂样品的相变所需的热能比未掺杂样品少约 24%。(iv) W掺杂对VO2上述四种热性能的影响主要表现在其绝缘体相上，这是由于钨电子引起局部晶格畸变的结果。因此，0.8 at.% 的 W 掺杂增强了 VO2 传输热量的能力，但降低了其热转换效率。
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更新日期：2019-10-12
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