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氧化铝碳热还原氮化法真空制备氮化铝
Ceramics International ( IF 5.1 ) Pub Date : 2020-03-01 , DOI: 10.1016/j.ceramint.2019.10.011 Zhiqiang Zhou , Youli Xu , Xiumin Chen , Chenchen Han , Wenlong Jiang , Bin Yang , Baoqiang Xu , Dachun Liu
Ceramics International ( IF 5.1 ) Pub Date : 2020-03-01 , DOI: 10.1016/j.ceramint.2019.10.011 Zhiqiang Zhou , Youli Xu , Xiumin Chen , Chenchen Han , Wenlong Jiang , Bin Yang , Baoqiang Xu , Dachun Liu
摘要 氮化铝具有良好的电学、热学和机械性能，广泛应用于微电子等领域。然而，用于制备 AlN 的氧化铝碳热还原氮化 (CRN) 方法仍然需要高温。在此，通过热力学计算和实验研究，研究了氧化铝 CRN 反应在真空下制备 AlN，以降低反应温度。结果表明较低的压力有利于氧化铝 CRN 反应。在 1823 K 和 300 Pa 的 N2 气压下成功获得单相 AlN。此外，提出了在真空下氧化铝 CRN 工艺过程中 AlN 的潜在生长机制，这与大气或高温下不同压力。确定了氧化铝 CRN 工艺的限速步骤。结果还表明，Al4C3 和Al2OC 在真空下氧化铝CRN 的过程中起重要作用。
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更新日期：2020-03-01
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