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非对称双势垒半导体异质结构中的蒸发电子冷却。
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2019-10-03 , DOI: 10.1038/s41467-019-12488-9
Aymen Yangui 1, 2 , Marc Bescond 1, 2 , Tifei Yan 1 , Naomi Nagai 1 , Kazuhiko Hirakawa 1, 2, 3
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2019-10-03 , DOI: 10.1038/s41467-019-12488-9
Aymen Yangui 1, 2 , Marc Bescond 1, 2 , Tifei Yan 1 , Naomi Nagai 1 , Kazuhiko Hirakawa 1, 2, 3
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高速,密集包装的电子/光子设备的飞速发展为我们的社会带来了空前的利益。但是,这种技术趋势反过来导致散热量的极大增加,从而降低了器件的性能和使用寿命。今后的科学和技术挑战在于这种高性能设备的有效冷却。在这里,我们报告不对称砷化铝镓/砷化镓(AlGaAs / GaAs)双势垒异质结构中的蒸发电子冷却。量子阱(QW)中的电子温度Te和电极中的电子温度Te是根据光致发光测量确定的。在300 K时,随着偏置电压增加到最大谐振隧穿条件,QW中的Te逐渐降低到250 K,而电极中的Te保持不变。
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更新日期:2019-10-03
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