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具有[M(dcdmp)2 ]阴离子(M = Au,Cu和Ni)的四硫富瓦烯和四甲基四硒富烯富瓦烯盐:高电导率和异常的化学计量比
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2019-09-25 , DOI: 10.1021/acs.cgd.9b00958
Rafaela A. L. Silva 1 , Isabel C. Santos 1 , Vasco Gama 1 , Elsa B. Lopes 1 , Pascale Auban-Senzier 2 , Manuel Almeida 1 , Dulce Belo 1
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四种基于四硫富富瓦烯(TTF)或四甲基四富硒富瓦烯(TMTSF)供体和过渡金属配合物[M(dcdmp)2 ](dcdmp = 2,3-dicyano-5,6-dimercaptopyrazine),TMTSF 5 [Cu(dcdmp )2 ] 41),(TMTSF)2 [Ni(dcdmp)2 ](2)和(TTF)7 [M(dcdmp)2 ] 6(M = Au(3)和Cu(4))通过电结晶制备。这些化合物的特征是具有各种不同的晶体结构,具有不同的供体/受体化学计量比。尽管观察到不常见的结构类型,但这些盐仍具有很高的导电性。化合物1在分离的TMTSF叠层中结晶,显示1D金属性能,室温电导率为134 S / cm。化合物2在供体二聚体和受体的套准混合列排列中结晶。化合物34在单晶X射线衍射中显示为同构结构,由TTF六聚体的列组成,这些列被单个TTF层破坏并被[M(dcdmp)2 ]包围-与六聚体堆叠垂直排列的单阴离子对。但是,单晶中电输运性质的测量表明存在两相。虽然相2具有半导电性,但是相1显然与铜络合物4更具导电性,铜络合物4在210 K附近表现出金属半导体跃迁,室温电导率约为210 S / cm。



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更新日期:2019-09-26
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