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用于单片激光匹配SOI光学隔离器的无高变质性Ce：TbIG
ACS Photonics ( IF 6.5 ) Pub Date : 2019-09-19 , DOI: 10.1021/acsphotonics.9b00707 Karthik Srinivasan 1 , Cui Zhang 2 , Prabesh Dulal 3 , Cosmin Radu 4 , Thomas E. Gage 3 , David C. Hutchings 2 , Bethanie J. H. Stadler 1, 3
ACS Photonics ( IF 6.5 ) Pub Date : 2019-09-19 , DOI: 10.1021/acsphotonics.9b00707 Karthik Srinivasan 1 , Cui Zhang 2 , Prabesh Dulal 3 , Cosmin Radu 4 , Thomas E. Gage 3 , David C. Hutchings 2 , Bethanie J. H. Stadler 1, 3
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单片光隔离器已经实现了“模态”（横向电，TE）和尺寸（500 nm核）匹配到片上激光器，已经实现了“一步式”无籽晶石榴石的实现。迄今为止，无模式的石榴石覆层需要更薄（<340 nm）的绝缘体上硅（SOI）磁芯，因为对于激光匹配的磁芯来说，模式-覆层的相互作用太弱了。但是，激光匹配很重要，因为激光器和隔离器之间的锥度和模式转换器会在隔离之前引起有害的反射。本文报道了铈掺杂ter铁石榴石（Ce：TbIG）在准相位匹配不可逆模式转换（NRMC）隔离器中的使用，该隔离器在TE和TM模式下均无外部场。此处提出的一项关键创新是可重复进行的铸造工艺：Ce：TbIG的铸造友好型溅射沉积，这样一来，这种高法拉第旋转材料（-3200°/ cm）便可以在任何受益于一步式光刻制造的隔离器设计中进行合成。用无种子层的Ce：TbIG证明了可行性验证的500 nm SOI NRMC器件，其隔离比达到11 dB。NRMC设计具有最佳长度，可以提供大于30 dB的隔离度。
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更新日期：2019-09-19
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