摘要 报道了应用能量和质量选择离子束辅助沉积装置来研究超热原子和分子氮离子种类在外延 GaN 薄膜生长的初始阶段的影响。通过使用紧凑型四极杆质量过滤器系统，对超热离子束进行质量过滤。执行具有不同离子与原子到达比和 40 eV 和 80 eV 动能的 GaN 薄膜沉积，以突出离子物质对生长早期阶段的明显影响。据评估，离子束参数的精确选择能够在 6H-SiC(0001) 衬底上优先生长亚稳态闪锌矿 GaN 相或稳定的纤锌矿 GaN 相。更多，



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