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红外可探测的MoS2光电晶体管及其在人工多级光学-神经突触中的应用。
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2019-09-04 , DOI: 10.1021/acsnano.9b03683 Seung-Geun Kim 1 , Seung-Hwan Kim 2 , June Park 3 , Gwang-Sik Kim 2 , Jae-Hyeun Park 2 , Krishna C Saraswat 4 , Jiyoung Kim 5 , Hyun-Yong Yu 1, 2
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2019-09-04 , DOI: 10.1021/acsnano.9b03683 Seung-Geun Kim 1 , Seung-Hwan Kim 2 , June Park 3 , Gwang-Sik Kim 2 , Jae-Hyeun Park 2 , Krishna C Saraswat 4 , Jiyoung Kim 5 , Hyun-Yong Yu 1, 2
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层状二维（2D）材料由于其优异的电气和光电特性，已成为未来光电器件的有前途的通道材料，引起了人们的关注。然而，由其宽带隙引起的有限的光电检测范围仍然是基于2D分层材料的光电晶体管的主要挑战。在这里，我们开发了一种锗（Ge）门控的MoS 2光电晶体管，它可以使用基于带弯曲调制的检测机制来检测可见光到红外光之间的光（λ= 520-1550 nm）。此外，Ge-gated MoS 2光电晶体管被提议作为一种多级光学神经突触设备，其在一个设备上执行光学感测和突触功能，并根据黑暗，可见光和红外光条件在不同的电流范围内工作。这项研究有望为下一代光电中基于2D材料的光电晶体管和突触设备的开发做出贡献。
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更新日期：2019-09-05
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