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具有锯齿形边缘的大规模六角形MoSe 2单层的CVD生长
Chemical Physics Letters ( IF 2.8 ) Pub Date : 2019-08-07 , DOI: 10.1016/j.cplett.2019.136663
Xiaoshuang Chen , PingAn Hu , Kun Song , Xin Wang , Chunling Zuo , Rui Yang , Jinping Wang
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更新日期：2019-08-08
Chemical Physics Letters ( IF 2.8 ) Pub Date : 2019-08-07 , DOI: 10.1016/j.cplett.2019.136663
Xiaoshuang Chen , PingAn Hu , Kun Song , Xin Wang , Chunling Zuo , Rui Yang , Jinping Wang
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在这项工作中，我们开发了一种通过在大气压力下通过可控化学气相沉积（CVD）技术制备具有锯齿状边缘的六边形形状的MoSe 2单层的方法，从而形成了尺寸约为20μm的大规模MoSe 2原子层和高度约为0.8 nm。拉曼，光致发光（PL）和透射电子显微镜（TEM）的特性证实了所种植的产品具有高质量，并且基于所获得的产品，该设备的电学测量结果具有0.21 cm 2 V -1 s -1的迁移率证明了MoSe 2在纳米电子领域的潜在应用。
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