摘要 尽管在 N 掺杂石墨烯的合成方面取得了显着的有条不紊的改进，但在石墨烯蜂窝网络中氮物质的含量控制和配置方面仍然存在未解决的问题。X 射线光电子能谱和拉曼光谱结果的交叉检查表明，氮掺杂量取决于石墨烯厚度，但可以在双层和少层石墨烯上获得各种氮掺杂剂配位。N 掺杂后出现在拉曼光谱中的特征缺陷特征 (D') 对氮掺杂剂配位、石墨-吡啶/腈类物质敏感，因此可以识别掺杂水平。在温和的热处理后，作为主要物质的吡啶和腈氮将石墨烯转化为 p 型半导体。



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