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具有高响应性和探测性的横向双层MoS2-WS2异质结构光电探测器
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2019-07-26 , DOI: 10.1002/adom.201900815 Kun Ye 1 , Lixuan Liu 1, 2 , Yujie Liu 1 , Anmin Nie 1 , Kun Zhai 1 , Jianyong Xiang 1 , Bochong Wang 1 , Fusheng Wen 1 , Congpu Mu 1 , Zhisheng Zhao 1 , Yongji Gong 2 , Zhongyuan Liu 1 , Yongjun Tian 1
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2019-07-26 , DOI: 10.1002/adom.201900815 Kun Ye 1 , Lixuan Liu 1, 2 , Yujie Liu 1 , Anmin Nie 1 , Kun Zhai 1 , Jianyong Xiang 1 , Bochong Wang 1 , Fusheng Wen 1 , Congpu Mu 1 , Zhisheng Zhao 1 , Yongji Gong 2 , Zhongyuan Liu 1 , Yongjun Tian 1
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结合不同层状半导体的2D异质结构因其吸引人的电学和光学特性而引起了人们的极大兴趣。然而，横向异质结构中层的任意生长仍然是一个挑战。在此，通过两步化学气相沉积途径报道了大规模横向双层（LBL）WS 2 -MoS 2异质结构的合成。拉曼光谱，光致发光光谱和二次谐波图像显示了异质结构中WS 2和MoS 2域之间的清晰边界。原子分辨扫描透射电子显微镜进一步揭示了尖锐的边界是通过WS 2和MoS之间的横向之字形外延无缝连接而形成的2。值得注意的是，基于LBL WS 2 -MoS 2异质结构的光电检测器装置具有超高的光响应性和检测性（对于457 nm激光分别为6.72×10 3 AW -1和3.09×10 13 Jones），其数量级比MoS 2和WS 2单晶。这些出色的性能使LBL WS 2 –MoS 2异质结构成为下一代光电子技术的有希望的候选者。
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更新日期：2019-10-21
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