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顶裂栅双极有机薄膜晶体管
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-02-22 , DOI: 10.1002/aelm.201700536 Hocheon Yoo 1 , Seon Baek Lee 2 , Dong-Kyu Lee 1 , Edsger C. P. Smits 3 , Gerwin H. Gelinck 3, 4 , Kilwon Cho 2 , Jae-Joon Kim 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-02-22 , DOI: 10.1002/aelm.201700536 Hocheon Yoo 1 , Seon Baek Lee 2 , Dong-Kyu Lee 1 , Edsger C. P. Smits 3 , Gerwin H. Gelinck 3, 4 , Kilwon Cho 2 , Jae-Joon Kim 1
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分离栅双极性有机晶体管技术作为实现互补晶体管的实用解决方案而引起了人们的兴趣。众所周知，传统的双极晶体管由于没有明确定义的断态区域，因此直流增益差，噪声容限大，功耗高。分离栅极器件结构使双极性晶体管能够以受控的单极性模式（p型和n型）工作，从而具有出色的反相器特性。先前报道的分离栅双极性有机薄膜晶体管的一个关键挑战是由于电介质界面处的电荷俘获而导致的强电流-电压不稳定性。在此，展示了首个具有顶栅/底接触结构的分离栅双极有机晶体管。与以前的分割门设备相比，顶部分裂栅双极性有机晶体管表现出优异的电性能。拟议的器件显示无滞后I – V特性以及更高的偏置应力稳定性。此外，还演示了使用建议的晶体管的互补逆变器电路，与基线双极性逆变器相比，该电路可产生更高的输出摆幅和DC增益。
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更新日期：2018-02-22
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