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基于单晶铁电隧道结的柔性忆阻器
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-06-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.9b04738
Zheng-Dong Luo 1 , Jonathan J. P. Peters 1 , Ana M. Sanchez 1 , Marin Alexe 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-06-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.9b04738
Zheng-Dong Luo 1 , Jonathan J. P. Peters 1 , Ana M. Sanchez 1 , Marin Alexe 1
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具有连续电场可控电阻状态的基于铁电隧道结（FTJ）的忆阻器被认为是未来高密度存储器和先进的神经形态计算架构的有希望的候选者。然而，刚性单晶衬底的使用以及外延FTJ薄膜的高温生长构成了在柔性计算设备中使用这种异质结构的主要障碍。在这里，我们通过水蚀刻基于外延氧化膜的剥离和随后的转移，报告了在柔性塑料基板上厘米级单晶FTJ的集成。所得的高度柔性的FTJ膜保留了单晶结构以及稳定且可切换的铁电极化，作为已生长的单晶衬底状态。我们表明，获得的柔性忆阻器，即在塑料基板上的FTJ，呈现出高速和低压介导的忆阻行为，其电阻变化超过500％，并且对形状变化稳定。这项工作是在大面积，灵活且价格适中的基板上实现基于外延超薄铁电氧化物薄膜的电子产品的必不可少的步骤。
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更新日期：2019-06-10
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