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绝缘体上锗光子平台上的中红外可调谐Vernier滤波器
Optics Letters ( IF 3.1 ) Pub Date : 2019-05-24 , DOI: 10.1364/ol.44.002779 Chong Pei Ho , Ziqiang Zhao , Qiang Li , Shinichi Takagi , Mitsuru Takenaka
Optics Letters ( IF 3.1 ) Pub Date : 2019-05-24 , DOI: 10.1364/ol.44.002779 Chong Pei Ho , Ziqiang Zhao , Qiang Li , Shinichi Takagi , Mitsuru Takenaka
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我们演示了在大约1.95μm的中红外波长下可调谐Vernier滤波器的操作。为了通过热光效应实现有效调谐，该滤波器在绝缘体上的锗（Ge）光子平台上实现。覆盖的金属加热器线会产生热量，从而引起热光效应，从而在不产生过多损耗的情况下调整滤波器的输出。由于Ge的较高的热光系数，单个微环谐振器的可调性为0.083 nm / mW或0.175 nm /°C，大约是硅的两倍。通过级联两个微环谐振器来实现Vernier效应，滤波器的可调性提高到0.753 nm / mW或1.487 nm /°C，比单个微环谐振器高出九倍以上。
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更新日期：2019-06-03
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