新兴的二维（2-D）材料，例如过渡金属二卤化钨，有望成为超越硅的半导体和光电器件的可行替代品。测量的传输特性中的性能可变性，可靠性和随机性代表了此类设备的一些主要挑战。归因于由于存在底物而由界面作用引起的天然菌株被认为是主要的促成因素。为了获得对界面效应的基本了解，非常需要在微米长度尺度上对此类天然纳米应变进行完整的三维（3-D）映射，但在很大程度上仍难以捉摸。这里，_2个）在硅基板上。我们沿平面外方向观察到了约0.2％的明显局部应变。通过X射线重建建立的具有实验依据的连续模型可以追踪这些应变的起源，以了解其与基底的局部不均匀接触（以纳米尺度的粗糙度（即表面粗糙度或污染物）为重）。机械剥离的应力和应变局限于接触区域，表面粗糙附近的最大应变或多或少地与层数无关。机器学习的数百万个原子模型表明，当我们接近几层到单层极限时，应变效应会显着增加。第一性原理计算显示，每％应变的带隙位移高达125 meV。最后，我们测量多个WSe的性能在同一薄片上制造_2个晶体管；在各种器件之间观察到阈值电压和“截止”电流设置有很大的变化，这部分归因于衬底引起的局部应变。我们的集成方法对于基于分层材料或异质结构的设备中界面效应的直接成像和量化具有广泛的意义。



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