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CMOS兼容的锑掺杂锗外延层，用于中红外低损耗高等离子频率等离激元
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-05-06 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.9b04391 Haining Chong 1 , Zemin Xu 1 , Zhewei Wang 1 , Jianbo Yu 1 , Tobias Biesner 2 , Martin Dressel 2 , Lan Wu 1 , Qiang Li 1 , Hui Ye 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-05-06 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.9b04391 Haining Chong 1 , Zemin Xu 1 , Zhewei Wang 1 , Jianbo Yu 1 , Tobias Biesner 2 , Martin Dressel 2 , Lan Wu 1 , Qiang Li 1 , Hui Ye 1
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研究了锑（Sb）重掺杂锗（Ge）/硅（Si）外延膜作为中红外（MIR）等离子体材料。结构，电气和光学特性已经被掺杂剂物质的适当选择（即，SB）和优化的生长参数（即，锑通量和基板温度）提高。电子传导率的提高可归因于载流子浓度的提高（1.5×10 20 cm –3）和载流子迁移率（224 cm 2 V –1 s –1））在掺Sb的Ge外延层中。掺Sb的Ge薄膜的MIR反射率显示出与自由载流子有关的特性，这导致介电常数的可调整的实部和虚部。演示了由掺Sb的Ge薄膜制成的蝶形天线的局部表面等离激元极化子。当这些振动线在光谱上接近于局部等离子体共振时，所制造的天线可以为分子振动光谱提供信号增强。这些与CMOS兼容的掺Sb的Ge外延层为研究MIR等离子体激元与芯片上纳米结构的相互作用提供了一个平台。
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更新日期：2019-05-06
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