我们从理论上提出了一种基于量子隧穿效应设计透明导电膜的方法。这些膜由绝缘体和彼此重叠的金属材料构成。为了接近量子隧穿机制并提高电导率，绝缘体层的厚度应为1纳米或更小。详细研究了光学性质（透射率，反射率和导纳率）。但是，量子隧穿效应将对绝缘体材料的介电常数的虚部产生影响。因此，还通过量子校正模型分析了入射量子隧穿效应对透明性的影响。最后，我们还研究了薄膜的电导率。



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