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On‐Chip Supercapacitors: All‐Solid‐State On‐Chip Supercapacitors Based on Free‐Standing 4H‐SiC Nanowire Arrays (Adv. Energy Mater. 17/2019)
Advanced Energy Materials ( IF 24.4 ) Pub Date : 2019-05-02 , DOI: 10.1002/aenm.201970060 Weijun Li 1, 2 , Qiao Liu 1 , Zhi Fang 1 , Lin Wang 1 , Shanliang Chen 1 , Fengmei Gao 1 , Yuan Ji 2 , Weiyou Yang 1 , Xiaosheng Fang 3
Advanced Energy Materials ( IF 24.4 ) Pub Date : 2019-05-02 , DOI: 10.1002/aenm.201970060 Weijun Li 1, 2 , Qiao Liu 1 , Zhi Fang 1 , Lin Wang 1 , Shanliang Chen 1 , Fengmei Gao 1 , Yuan Ji 2 , Weiyou Yang 1 , Xiaosheng Fang 3
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In article number 1900073, Weiyou Yang, Xiaosheng Fang and co‐workers report all‐solid‐state on‐chip SiC supercapacitors based on free‐standing SiC nanowire arrays, with a specific area energy and power density up to 5.24 μWh cm−2 and 11.2 mW cm−2, respectively, as well as robust stability with over 94% capacitance retention after 10000 cycles at 100 mV s−1.
中文翻译：
片上超级电容器：基于独立式4H-SiC纳米线阵列的全固态片上超级电容器（Adv。Energy Mater。17/2019）
杨卫友，方晓生及其同事在编号1900073中报告了基于独立式SiC纳米线阵列的全固态片上SiC超级电容器，其单位面积能量和功率密度高达5.24μWhcm -2，并且分别为11.2 mW cm -2以及鲁棒的稳定性，在100 mV s -1 10000次循环后具有超过94％的电容保持率。
更新日期：2019-05-02
中文翻译：
片上超级电容器：基于独立式4H-SiC纳米线阵列的全固态片上超级电容器（Adv。Energy Mater。17/2019）
杨卫友，方晓生及其同事在编号1900073中报告了基于独立式SiC纳米线阵列的全固态片上SiC超级电容器，其单位面积能量和功率密度高达5.24μWhcm -2，并且分别为11.2 mW cm -2以及鲁棒的稳定性，在100 mV s -1 10000次循环后具有超过94％的电容保持率。
京公网安备 11010802027423号