Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Degenerately Doped Transition Metal Dichalcogenides as Ohmic Homojunction Contacts to Transition Metal Dichalcogenide Semiconductors
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2019-04-30 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsnano.8b08190 Zhibin Gao 1, 2 , Zhixian Zhou 3 , David Tománek 1, 4
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2019-04-30 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsnano.8b08190 Zhibin Gao 1, 2 , Zhixian Zhou 3 , David Tománek 1, 4
Affiliation
|
In search of an improved strategy to form low-resistance contacts to MoS2 and related semiconducting transition metal dichalcogenides, we use ab initio density functional electronic structure calculations in order to determine the equilibrium geometry and electronic structure of MoO3/MoS2 and MoO2/MoS2 bilayers. Our results indicate that, besides a rigid band shift associated with charge transfer, the presence of molybdenum oxide modifies the electronic structure of MoS2 very little. We find that the charge transfer in the bilayer provides a sufficient degree of hole doping to MoS2, resulting in a highly transparent contact region.
中文翻译：
简并掺杂的过渡金属二硫属元素化物与过渡金属二硫属化物半导体的欧姆同质接点接触
为了寻找一种改进的策略以形成与MoS 2和相关的半导体过渡金属二卤化物的低电阻接触，我们使用从头算密度函数电子结构计算来确定MoO 3 / MoS 2和MoO 2的平衡几何结构和电子结构。/ MoS 2双层。我们的结果表明，除了与电荷转移相关的刚性带移之外，氧化钼的存在几乎不会改变MoS 2的电子结构。我们发现，双层中的电荷转移为MoS 2提供了足够程度的空穴掺杂，从而形成了高度透明的接触区域。
更新日期：2019-04-30
中文翻译：
简并掺杂的过渡金属二硫属元素化物与过渡金属二硫属化物半导体的欧姆同质接点接触
为了寻找一种改进的策略以形成与MoS 2和相关的半导体过渡金属二卤化物的低电阻接触，我们使用从头算密度函数电子结构计算来确定MoO 3 / MoS 2和MoO 2的平衡几何结构和电子结构。/ MoS 2双层。我们的结果表明，除了与电荷转移相关的刚性带移之外，氧化钼的存在几乎不会改变MoS 2的电子结构。我们发现，双层中的电荷转移为MoS 2提供了足够程度的空穴掺杂，从而形成了高度透明的接触区域。
京公网安备 11010802027423号