通过原子层沉积 (ALD) 和原子层退火 (ALA)在 4H-SiC 衬底上外延生长 AlN 薄膜。通过一层一层地原位应用在每个 ALD 循环中使用氦/氩等离子体进行 ALA 处理，沉积膜从等离子体中获得结晶能量，从而显着提高晶体质量，从而在低至 300° 的沉积温度下实现高度结晶的 AlN 外延层C。在厚度约为 30 nm 的纳米级 AlN 外延层中，X 射线衍射显示 AlN（0002）峰的低半峰全宽仅为 176.4 arcsec。原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜和傅里叶衍射图表明 4H-SiC 上的纳米级 AlN 层具有光滑的表面和高质量的异质外延生长。这项研究证明了 ALA 处理对 ALD 技术从传统薄膜沉积到低温原子层外延的演变的影响。



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