在过去的十年里， 有限责任公司 谐振转换器已经成为 DC/DC 电源转换的主流拓扑结构，并且已经针对这种拓扑开发了多种设计工具，包括控制器、稳压器、软开关技术等。确定逆变器中的功率损耗 mosfet尚未完全探索基于时域分析的拓扑结构。精确的功率损耗估计对于在构建转换器之前确定开关的热行为至关重要，这可以加速和优化热管理设计过程。此外，文献中缺乏估算这种拓扑结构中占主导地位的传导损耗、开关损耗和体二极管损耗的准确方法。本文提出了一种增强功率损耗估计的方法有限责任公司 逆变器 mosfets 基于转换器的时域分析。此外，详细的表征mosfet的传导损耗（$P_{\text{cond}}$), 开关损耗 ($P_{\text{sw}}$) 和体二极管损耗 ($P_{\text{二极管}}$)，包括不同参数的影响，如栅源电压 ($V_{\text{GS}}$)、结温 ($T_{j}$), 漏极电流 ($\displaystyle I_{D}$) 和漏源电压 ($V_{\text{DS}}$)，可以进一步改进此拓扑中的功率损耗评估。开发的基于时间间隔分析的方法取代了简单的一次谐波近似 (FHA)，从而可以改进功率损耗计算。通过对开关设备进行详细表征，可以获得进一步的改进。通过仿真和实验结果验证，与使用 FHA 进行功率损耗估计的现有方法相比，所提出的估计工具显着提高了功率损耗确定的准确性。



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