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超薄非晶膜对硅膜的热电增强
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-03-14 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.8b21003 Anthony George 1 , Ryoto Yanagisawa 1 , Roman Anufriev 1 , Jinghan He 1 , Naoko Yoshie 1 , Naohito Tsujii , Quansheng Guo , Takao Mori , Sebastian Volz 1 , Masahiro Nomura 1, 2
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2019-03-14 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsami.8b21003 Anthony George 1 , Ryoto Yanagisawa 1 , Roman Anufriev 1 , Jinghan He 1 , Naoko Yoshie 1 , Naohito Tsujii , Quansheng Guo , Takao Mori , Sebastian Volz 1 , Masahiro Nomura 1, 2
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我们提出了一种简单，低成本，大面积的方法，通过沉积超薄铝层来提高硅膜中的热电品质因数（ZT）。透射电子显微镜显示，铝在硅衬底上的短沉积覆盖了超薄的非晶膜，根据最近的理论工作，该膜有效地破坏了声子波包。结果，我们测量了覆盖铝膜的硅膜的热导率降低了30–40％，而电导率没有受到影响。因此，在铝膜覆盖的膜中，我们的ZT值提高了40–45％。为了演示实际应用，我们应用了该方法来增强基于硅膜的热电器件的性能，并测量了42％的更高发电量。
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更新日期：2019-03-14
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