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计算H原子的吸附能，共吸附和扩散势垒，以及纳米石墨烯表面上的H2形成
International Journal of Quantum Chemistry ( IF 2.3 ) Pub Date : 2019-01-12 , DOI: 10.1002/qua.25893 Morella Sánchez 1, 2 , Fernando Ruette 1
International Journal of Quantum Chemistry ( IF 2.3 ) Pub Date : 2019-01-12 , DOI: 10.1002/qua.25893 Morella Sánchez 1, 2 , Fernando Ruette 1
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吸附和扩散邻，间，和对位顺式氢的二聚体，对晕苯的中央和边缘环（纳米石墨烯）中，通过使用DFT-d的方法，考虑不同的多重分析。计算了邻位和对位的H 2形成的吸附能，共吸附能，扩散势垒和反应势垒的计算值（Langmuir-Hinshelwood（LH）机理）。一个吸附• ħ原子增加另一个氢（共吸附）的吸附能量。最稳定的二聚体是• H吸附在氢化边缘位点上的二聚体。多重度M = 1的二聚体，• H由奇数个键分隔的键具有比偶数分隔键高的共吸附能（较高的扩散势垒）。H 2的形成在边缘-边缘和边缘-中心位置更可行。但是，在邻氢化边的位置上，它在能量上并不受欢迎。对于M = 3，未观察到H 2的形成，因为发生了• H的解吸。
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更新日期：2019-01-12
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