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Photodetectors: Ultrahigh‐Sensitive Broadband Photodetectors Based on Dielectric Shielded MoTe2/Graphene/SnS2 p–g–n Junctions (Adv. Mater. 6/2019)
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2019-02-08 , DOI: 10.1002/adma.201970040 Alei Li 1, 2 , Qianxue Chen 1 , Peipei Wang 1 , Yuan Gan 1 , Tailei Qi 1 , Peng Wang 1 , Fangdong Tang 1 , Judy Z. Wu 3 , Rui Chen 4 , Liyuan Zhang 1 , Youpin Gong 1, 4, 5
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2019-02-08 , DOI: 10.1002/adma.201970040 Alei Li 1, 2 , Qianxue Chen 1 , Peipei Wang 1 , Yuan Gan 1 , Tailei Qi 1 , Peng Wang 1 , Fangdong Tang 1 , Judy Z. Wu 3 , Rui Chen 4 , Liyuan Zhang 1 , Youpin Gong 1, 4, 5
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In article number 1805656, Rui Chen, Liyuan Zhang, Youpin Gong, and co‐workers develop an h‐BN/MoTe2/graphene/SnS2/h‐BN van der Waals heterostructure to realize an ultrahigh‐sensitivity broadband (405–1550 nm) photodetector, due to its unique advantages for high‐efficiency light absorption and exciton dissociation. Graphene plays a key role in enhancing the sensitivity and broadening the spectral range, providing a viable approach toward future ultrahigh sensitivity and broadband photodetectors.
中文翻译：
光电探测器：基于介电屏蔽MoTe2 /石墨烯/ SnS2 p–g–n结的超高灵敏度宽带光电探测器（Adv。Mater。6/2019）
在1805656号文章中，陈睿，张丽媛，龚幼品和同事们开发了h-BN / MoTe 2 /石墨烯/ SnS 2 / h-BN范德华异质结构，以实现超高灵敏度宽带（405-1550年） nm）光电探测器，由于其在高效光吸收和激子解离方面的独特优势。石墨烯在增强灵敏度和拓宽光谱范围方面发挥着关键作用，为未来的超高灵敏度和宽带光电探测器提供了可行的方法。
更新日期：2019-02-08
中文翻译：
光电探测器：基于介电屏蔽MoTe2 /石墨烯/ SnS2 p–g–n结的超高灵敏度宽带光电探测器（Adv。Mater。6/2019）
在1805656号文章中，陈睿，张丽媛，龚幼品和同事们开发了h-BN / MoTe 2 /石墨烯/ SnS 2 / h-BN范德华异质结构，以实现超高灵敏度宽带（405-1550年） nm）光电探测器，由于其在高效光吸收和激子解离方面的独特优势。石墨烯在增强灵敏度和拓宽光谱范围方面发挥着关键作用，为未来的超高灵敏度和宽带光电探测器提供了可行的方法。
京公网安备 11010802027423号