For the application of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) to electronic and optoelectronic devices, techniques to obtain semiconducting SWNT (s-SWNT) arrays are still in their infancy. We have developed herein a rational approach for the preferential growth of horizontally aligned s-SWNT arrays on a ST-cut quartz surface through the selective scission of C-O and C-C bonds of ethanol using bimetal catalysts, such as Cu/Ru, Cu/Pd, and Au/Pd. For a common carbon source, ethanol, a reforming reaction occurs on Cu or Au upon C-C bond breakage and produces C(ads) and CO, while a deoxygenating reaction occurs on Ru or Pd through C-O bond breaking resulting in the production of O(ads) and C2H4. The produced C2H4 by Ru or Pd can weaken the oxidative environment through decomposition and the neutralization of O(ads). When the bimetal catalysts with an appropriate ratio were used, the produced C(ads) and C2H4 can be used as carbon source for SWNT growth, and O(ads) promotes a suitable and durable oxidative environment to inhibit the formation of metallic SWNTs (m-SWNTs). Finally, we successfully obtained horizontally aligned SWNTs on a ST-cut quartz surface with a density of 4-8 tubes/μm and an s-SWNT ratio of about 93% using an Au/Pd (1:1) catalyst. The synergistic effects in bimetallic catalysts provide a new mechanism to control the growth of s-SWNTs.

中文翻译：

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使用双金属催化剂选择性切断乙醇中的 C-O 和 C-C 键以促进半导体 SWNT 阵列的优先生长

对于将单壁碳纳米管 (SWNT) 应用于电子和光电器件，获得半导体 SWNT (s-SWNT) 阵列的技术仍处于起步阶段。我们在此开发了一种合理的方法，通过使用双金属催化剂（例如 Cu/Ru、Cu/Pd）选择性切断乙醇的 CO 和 CC 键，在 ST 切割石英表面上优先生长水平排列的 s-SWNT 阵列，和金/钯。对于常见的碳源乙醇，在 CC 键断裂时 Cu 或 Au 发生重整反应并产生 C(ads) 和 CO，而 Ru 或 Pd 通过 CO 键断裂发生脱氧反应，从而产生 O(ads) ) 和 C2H4。Ru或Pd产生的C2H4可以通过分解和中和O(ads)来削弱氧化环境。当使用适当比例的双金属催化剂时，产生的 C(ads) 和 C2H4 可作为碳源用于 SWNT 生长，O(ads) 促进合适且持久的氧化环境以抑制金属 SWNTs (m -SWNT）。最后，我们使用 Au/Pd (1:1) 催化剂在 ST 切割石英表面成功获得了水平排列的 SWNT，密度为 4-8 管/μm，s-SWNT 比率约为 93%。双金属催化剂中的协同效应为控制 s-SWNTs 的生长提供了新的机制。我们使用 Au/Pd (1:1) 催化剂在 ST 切割石英表面成功获得了水平排列的 SWNT，密度为 4-8 管/μm，s-SWNT 比率约为 93%。双金属催化剂的协同效应为控制s-SWNTs的生长提供了新的机制。我们使用 Au/Pd (1:1) 催化剂在 ST 切割石英表面成功获得了水平排列的 SWNT，密度为 4-8 管/μm，s-SWNT 比率约为 93%。双金属催化剂的协同效应为控制s-SWNTs的生长提供了新的机制。