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氧化嵌入使Qui缝的2D MoS2带隙加宽
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2015-04-13 , DOI: 10.1002/adma.201500649
Sung Ho Song 1 , Bo Hyun Kim 1 , Duk-Hyun Choe 2 , Jin Kim 1 , Dae Chul Kim 1 , Dong Ju Lee 1 , Jung Mo Kim 1 , Kee Joo Chang 2 , Seokwoo Jeon 1
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2015-04-13 , DOI: 10.1002/adma.201500649
Sung Ho Song 1 , Bo Hyun Kim 1 , Duk-Hyun Choe 2 , Jin Kim 1 , Dae Chul Kim 1 , Dong Ju Lee 1 , Jung Mo Kim 1 , Kee Joo Chang 2 , Seokwoo Jeon 1
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据报道，氧化的MoS 2薄片可控的带隙宽度从1.8 eV扩大到2.6 eV ，该薄片由各种MoS x O y薄片的缝相组成。片状剥落的薄片尺寸大（≥100μm×100μm），平均厚度为1.7 nm。值得注意的是，通过对MoS x O y片材进行硫化后，可以对带隙进行精细的可逆调节。
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更新日期：2015-04-13
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