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两大巨头的阐明:CdSe/ZnSe 和 ZnSe/CdS 核/壳量子点中厚壳合成的挑战
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2015-03-11 , DOI: 10.1021/jacs.5b00313 Krishna P. Acharya 1 , Hue M. Nguyen 1 , Melissa Paulite 1 , Andrei Piryatinski 1 , Jun Zhang 1 , Joanna L. Casson 1 , Hongwu Xu 1 , Han Htoon 1 , Jennifer A. Hollingsworth 1
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2015-03-11 , DOI: 10.1021/jacs.5b00313 Krishna P. Acharya 1 , Hue M. Nguyen 1 , Melissa Paulite 1 , Andrei Piryatinski 1 , Jun Zhang 1 , Joanna L. Casson 1 , Hongwu Xu 1 , Han Htoon 1 , Jennifer A. Hollingsworth 1
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具有 II 型电子结构的核/厚壳巨量子点 (gQD) 表现出抑制的闪烁和减少的非辐射俄歇复合。我们研究了 CdSe/ZnSe 和 ZnSe/CdS 作为潜在的新 gQD。我们从理论上和实验上表明,两者都可以表现出激发态电子 - 空穴对的部分或完全空间分离(即,II 型行为)。然而,我们发现厚壳生长受到竞争过程的挑战:合金化和阳离子交换。我们证明了这些可以通过选择脱壳条件(例如时间、温度和 QD 核心特性)来很大程度上避免。由此产生的 CdSe/ZnSe gQD 表现出不寻常的单 QD 特性,主要从暗灰色状态发射,但具有高双激子(双激子)发射效率,
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更新日期:2015-03-11
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