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高度透明的3D NiO-Ni / Ag纳米线/ FTO微超级电容器电极,用于完全透明的电子设备
Electrochimica Acta ( IF 5.5 ) Pub Date : 2017-11-03 , DOI: 10.1016/j.electacta.2017.11.011 Feng Liu , Xiaopeng Yang , Zhensong Qiao , Liqiang Zhang , Bingqiang Cao , Guangbin Duan
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更新日期:2017-11-03
Electrochimica Acta ( IF 5.5 ) Pub Date : 2017-11-03 , DOI: 10.1016/j.electacta.2017.11.011 Feng Liu , Xiaopeng Yang , Zhensong Qiao , Liqiang Zhang , Bingqiang Cao , Guangbin Duan
在这项工作中,通过简便的电化学沉积和后退火工艺制造了用于微型超级电容器的3D NiO-Ni / ANWs / FTO电极。在最佳退火条件下,基于GCD的结果,复合电极在2.5 A g -1下显示出高达344 mAh g -1的出色比容量,结果为2 mol L -1KOH作为电解质。特别是,我们通过3D ANW网络的快速退火工艺进行的原始焊接处理极大地提高了使用寿命和稳定性,在20000次循环后,电容保持率达到了100%。同时,NiO-Ni / ANWs复合材料在可见光和近红外区域具有较高的平均透射率,高达82%,适用于完全透明的电子设备应用。出于片上目的,具有完美兼容性的FTO基板也可以轻松地替换为任何形状或形式的p / n-Si,金属,半导体和任何其他导电基板。
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