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DT聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-Oct-17 , DOI: 10.1038/s41598-017-13715-3 Linyue Liu , Ao Liu , Song Bai , Ling Lv , Peng Jin , Xiaoping Ouyang
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-Oct-17 , DOI: 10.1038/s41598-017-13715-3 Linyue Liu , Ao Liu , Song Bai , Ling Lv , Peng Jin , Xiaoping Ouyang
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碳化硅（SiC）是具有许多优异性能的宽带隙半导体材料，在聚变中子检测中显示出巨大的潜力。通过仔细分析氘-fusion聚变中子辐照前后的性能，对4H-SiC肖特基二极管探测器的辐射电阻进行了实验研究，总通量为1.31×10 14 n / cm 2和7.29×10 14 n / cm 2个在室温下。中子辐照后观察到明显的降解：反向电流大大增加，超过三到三十倍；肖特基结被破坏；在低温光致发光测量中观察到明显的晶格损伤；α粒子响应光谱的峰移至较低的通道并变宽。在300 V下，中子辐照通量分别为1.31×10 14 n / cm 2和7.29×10 14 n / cm 2时，电荷收集效率（CCE）分别降低了约7.0％和22.5％。尽管存在退化，但SiC探测器比中子探测器能够成功地经受住强中子辐射，并表现出更好的抗辐射能力。
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更新日期：2017-10-17
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