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自下而上的三栅极晶体管和来自引导式 CdS 纳米壁的亚微秒光电探测器
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2017-10-25 , DOI: 10.1021/jacs.7b09423
Jinyou Xu 1 , Eitan Oksenberg 1 , Ronit Popovitz-Biro 1 , Katya Rechav 1 , Ernesto Joselevich 1
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2017-10-25 , DOI: 10.1021/jacs.7b09423
Jinyou Xu 1 , Eitan Oksenberg 1 , Ronit Popovitz-Biro 1 , Katya Rechav 1 , Ernesto Joselevich 1
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通过从半导体纳米壁(或“鳍”)的两个侧面对沟道施加额外的栅极控制,三栅极晶体管提供比平面晶体管更好的性能。在这里,我们通过水平催化气-液-固生长和垂直面选择性非催化气-固生长的同时组合,以及将它们平行集成到晶圆级的三栅极晶体管和光电探测器中,自下而上地组装了对齐的 CdS 纳米壁。 cm2) 没有生长后转移或对齐步骤。这些三栅极晶体管用作增强型晶体管,其开/关电流比约为 108,比平面增强型 CdS 晶体管有史以来报告的最佳结果高 4 个数量级。光电探测器的响应时间降低到亚微秒级,比由自下而上的半导体纳米结构制成的光电探测器所报道的最佳结果短 1 个数量级。引导半导体纳米壁为自下而上组装的高性能 3D 纳米器件开辟了新的机会。
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更新日期:2017-10-25
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