摘要 采用化学气相沉积（CVD）技术在不同N 2 流速下在p型c-Si（100）上沉积了氮化钛硅（TiSiN）薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、纳米压痕和X射线光电子能谱(XPS)对TiSiN薄膜的微观结构、声子模式、力学性能和成分进行了表征。SEM图像显示表面粗糙度随着N 2 流量的增加而增加，然而，提高了TiSiN薄膜的硬度和杨氏模量。XRD 分析揭示了 TiSiN 薄膜中存在应变。对于 40 和 100 sccm N 2 流速，TiSiN 薄膜的估计微晶为 7.51 和 7.39 nm。XPS 显示存在 20 at。TiSiN 膜中 40 sccm N 2 流速下的 Si 含量百分比。为了分析 TiSiN 薄膜的宽拉曼光谱，峰被卷积成六个单独的高斯峰。使用Origin 9.0软件对TiSiN薄膜的XPS和拉曼光谱进行定量和定性分析。



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