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垂直堆叠的NbSe 2-石墨烯-NbSe 2 van der Waals结中的强邻近约瑟夫森耦合
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2017-09-29 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02707
Minsoo Kim 1 , Geon-Hyoung Park 1 , Jongyun Lee 1 , Jae Hyeong Lee 1 , Jinho Park 1 , Hyunwoo Lee 1 , Gil-Ho Lee 1 , Hu-Jong Lee 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2017-09-29 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02707
Minsoo Kim 1 , Geon-Hyoung Park 1 , Jongyun Lee 1 , Jae Hyeong Lee 1 , Jinho Park 1 , Hyunwoo Lee 1 , Gil-Ho Lee 1 , Hu-Jong Lee 1
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层状二维超导材料2H-NbSe 2用于构建范德华异质结构，其中可以在界面材料中感应出邻近耦合的超导顺序。垂直堆叠的NbSe 2-石墨烯-NbSe 2是使用范德华层间耦合制造的，可产生无缺陷且具有高界面透明度的触点。原子薄的石墨烯层允许在两个NbSe 2薄片之间形成高度相干的接近约瑟夫森耦合。结临界电流的温度依赖性（I c）揭示了与理论预测相符的短而弹道的约瑟夫森耦合特征。强大的约瑟夫森耦合可以通过1.6×10 4 A / cm 2的大结点临界电流密度，差分电导的亚隙结构中的多次Andreev反射以及I c的磁场调制来确认。这是在干转移堆叠的范德华异质结构中具有极其干净界面的强邻近耦合的约瑟夫森结的首次演示。
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更新日期：2017-09-29
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